بررسی خواص ترابرد الکترون درنیم رساناهای 4h-sic و6h-sic تحت تاثیرمیدان الکتریکی شدید

هدف این پایان نامه،بررسی خواص ترابری الکترون درنیم رساناهای4h-sic و6h-sic درحد میدان های الکتریکی شدید بااستفاده از روش مونت کارلو می باشد. درمیدان های الکتریکی ضعیف ،تنهاالکترون های واقع دردره مرکزی گامادرترابردالکترون هاسهیم اند وگذارهای بین دره ای وبین نواری وجودندارند.درحالیکه درمیدان های الکتریکی قوی،الکترون های واقع دردره های مجاورنیزدرترابرد الکترون ها نقش دارندوگذارهای بین دره ای وبین نواری نیزصورت می گیرد، زیرا درمیدان های الکتریکی قوی،الکترون های واقع دردره مرکزی می توانندانرژی لازم برای رفتن به دره های دیگرراکسب نمایند. دربررسی ساختارنواری وتاثیرآن برخواص ترابرد الکترون هاازنظریه کین ،استفاده شده است.این موضوع باعث غیرسهموی شدن نوار رسانش می شود.ونیز دراین پایان نامه از مدل سه دره ای در ساختار نواری باسطوح انرژی بیضی گون استفاده شده است . دراین پایان نامه پراکندگی های ناشی ازفونون های آکوستیکی و فونون های اپتیکی قطبی ،پتانسیل تغییر شکل شبکه ،اثرپیزوالکتریک،ناخالصی های یونیزه درنظرگرفته شده است.درهرکدام از این موارد، ازنظریه اختلال وابسته به زمان برای محاسبه آهنگ پراکندگی استفاده شده است. با استفاده ازشبیه سازی مونت کارلو ، سرعت سوق الکترون ها ونیز درصداشغال دره ها توسط الکترون ها برای نیم رساناهای 4h-sic و6h-sic درحدمیدان های الکتریکی قوی بررسی شده است ونیز برخی عوامل موثر برسرعت سوق، بررسی شده است. همچنین بستگی تحرک پذیری به دما وتراکم الکترون ها هم بررسی شده است.